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半导体装置、TFT-LED、OLED等微电路是通过在基板上形成的铝、铝合金、铜及铜合金等导电性金属膜或二氧化硅膜、氮化硅薄膜等绝缘膜上，均匀地涂抹光刻胶，然后通过刻有图案的薄膜，进行光照后成像，使所需的图案光刻胶成像，采用干式蚀刻或湿式蚀刻，在光刻胶下部的金属膜或绝缘膜上显示图案后，剥离去除不需要的光刻胶等一系列的光刻工程而完成的。大型显示器的栅极及数据金属配线所使用的铜合金阻抗低且没有环境问题，铜存在与玻璃基板及绝缘膜的粘附性较低，易扩散为氧化硅膜等问题，所以通常使用钛、钼等作为下部薄膜金属。但是，现有蚀刻液在蚀刻过程中，蚀刻的均一性很难把控，导致蚀刻锥角、蚀刻偏差及蚀刻直线度等特性失去，影响产品质量。蚀刻速度越快，板子在蚀刻液中停留的时间越短。龙岩酸碱蚀刻液回用及提铜设备厂家电话

针对现有氯化物体系废蚀刻液中铜难以电解回收利用的现状,本文采用LIX984作为萃取剂,探索其对废蚀刻液中的铜萃取及反萃转型研究,系统考察了萃取剂浓度,料液酸度,萃取时间等对铜萃取的影响,硫酸浓度,反萃时间等对铜反萃的影响,绘制萃取及反萃等温线并模拟多级逆流过程。研究表明:采用LIX984萃取铜时,为确保铜萃取回收率,应将废蚀刻液稀释至Cu浓度接近0。5 mol/L或以下。文中含Cu 131。24 g/L,Cl 231。6 g/L,pH=2。45的废蚀刻液稀释4倍后,可直接采用20 %(体积分数)的LIX984 按相比O/A=4:1,萃取时间10 min,萃取温度25 ℃,经过5级逆流萃取,Cu萃取率为97。1 %,Cl萃取率只0。05 %。负载铜有机相采用200 g/L的硫酸溶液,按照相比O/A=6:1,反萃时间5 min,反萃温度25 ℃,经过7级逆流反萃,铜反萃率为98。62 %,并得到含Cu 47。16 g/L,Cl 0。18 g/L的硫酸铜反萃液,可直接用于电解回收,得到的金属铜达到国家标准GB/T467-1997 Cu-CATH2要求。惠州酸碱蚀刻液回用及提铜报价凡能氧化铜而生成可溶性铜盐的试剂，都可以用来蚀刻敷铜箔板。

通过蚀刻再生的化学反应可以看出:[Cu(NH3)2]1+的再生需要有过量的NH3和NH4Cl存在。如果溶液中缺乏NH4Cl,而使大量的[Cu(NH3)2]1+得不到再生，蚀刻速率就会降低，以至失去蚀刻能力。所以，氯化铵的含量对蚀刻速率影响很大。随着蚀刻的进行，要不断补加氯化铵。但是，溶液中Cl-含量过高会引起抗蚀层被浸蚀。一般蚀刻液中NH4Cl含量在150g/l左右。蚀刻液温度低于40℃，蚀刻速率很慢，而蚀刻速率过慢会增大侧蚀量，影响蚀刻质量。温度高于60℃，蚀刻速率明显增大。但NH3的挥发量也很大程度增加，导致污染环境并使蚀刻液中化学组份比例失调。故一般应控制在45℃～55℃为宜。

蚀刻液再生循环系统：在电子线路版（PCB）蚀刻过程中，蚀刻液中的铜含量渐渐增加。蚀刻液要达到较佳的蚀刻效果，每公升蚀刻液需含120至180克铜及相应分量的蚀刻盐（NH4CI）及氨水（NH3）。要持续蚀刻液中上述各种成份的浓度较佳水平，蚀刻用过后的（以下称[用后蚀刻液]）溶液需不断由添加的药剂所取缔。本系统将大量原本需要排放的用后蚀刻液再生还原成为可再次使用的再生蚀刻液。只需极少量的补充剂及氨水，补偿因运作时被带走而失去的部份。从而取代蚀刻子液，既可达到蚀刻工艺的要求，又可节省生产成本。影响蚀刻速率的主要因素是溶液中Cl-、Cu+、Cu2+的含量及蚀刻液的温度等。

蚀刻液一般分为酸性蚀刻液和碱性蚀刻液两种。酸性蚀刻液主要成分氯化铜、盐酸、氯化钠和氯化铵。它的机理是：酸性蚀刻液具有蚀刻速率易控制,蚀刻液在稳定状态下能达到高的蚀刻质量的特性；同时，它的溶铜量大；酸性蚀刻液也较容易再生与回收，从而减少污染。有研究表明，酸性氯化铜蚀刻液的蚀刻系数通常为3，以硝酸为基础的蚀刻系统可以做到几乎没有侧蚀，达到蚀刻的线条侧壁接近垂直，其蚀刻效果非常好。结合以上特性，酸性蚀刻液一般用于多层印制板的内层电路图形的制作或微波印制板阴板法直接蚀刻图形的制作。酸性蚀刻液具有蚀刻速率易控制。赣州PCB蚀刻液回用及提铜哪家便宜

蚀刻液回收氯化铵的处理系统，包括中和处理段、压滤段、离子交换处理段、蒸发段和后处理段。龙岩酸碱蚀刻液回用及提铜设备厂家电话

铜蚀刻液适用于印制版铜的蚀刻，蚀刻速度快。蚀刻速度达4~5um/min。废液回收简单，普遍用于印制板，线路板。本剂也可用于铜工艺品等的蚀刻。蚀刻后的板面平整而光亮。铜蚀刻液的反应速度快、使用温度低、溶液使用寿命长，后处理容易，对环境污染小。用于铜质单面板，双面板、首饰蚀刻，可以蚀刻出任意精美的形态，有效提高蚀刻速度，节约人工水电。常常应用于印刷线路板铜的蚀刻处理。蚀刻速度快，效率高。使用方便。蚀刻速度可达10微米/分钟。可循环使用，无废液排放。龙岩酸碱蚀刻液回用及提铜设备厂家电话

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